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电子元器件详细资料 » IC[28752] » SIR836DP-T1-GE3
型号:SIR836DP-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SO-8描述:MOSFET N-CH 40V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)40V
电流_连续漏极(Id)0a025000C21A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C19 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs18nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds600pF @ 20V
功率_最大15.6W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商设备封装PowerPAK? SO-8
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市科思奇电子科技有限公司林小姐/朱先生0755-83245050/82785939
深圳市壹芯创科技有限公司朱先生0755-82780082
瀚佳科技(深圳)有限公司李先生 李小姐0755-23140719/23915992
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SIR836DP-T1-GE3相关型号

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