型号:SIR836DP-T1-GE3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:PowerPAK? SO-8 | 描述:MOSFET N-CH 40V 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 40V 8-SOIC |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 21A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 19 毫欧 @ 10A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 18nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 600pF @ 20V |
功率_最大 | 15.6W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市科思奇电子科技有限公司 | 林小姐/朱先生0755-83245050/82785939 |
深圳市壹芯创科技有限公司 | 朱先生0755-82780082 |
瀚佳科技(深圳)有限公司 | 李先生 李小姐0755-23140719/23915992 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市川蓝电子科技有限公司 | 彭小姐0755-82522939 |
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深圳市三得电子有限公司 | 销售部13509684848 |
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